一、項目背景

二、測試方案

• 溫度范圍：?40℃~125℃，波動度 ±0.5℃，均勻度 ±1℃

• 濕度范圍：40%~95% RH

• 循環(huán)模式：24 小時 / 循環(huán)，共 56 個循環(huán)

• 測試流程：?40℃低溫保持→升溫至 85℃、95% RH 高濕保持→降溫至 25℃恢復(fù)→循環(huán)往復(fù)

  測試全程通電，實時監(jiān)測芯片漏電流、響應(yīng)時間、信號完整性等電氣參數(shù)，循環(huán)結(jié)束后進行外觀檢查、封裝完整性測試及長期穩(wěn)定性驗證。

三、測試結(jié)果

1. 電氣性能：所有參數(shù)穩(wěn)定在設(shè)計范圍內(nèi)，漏電流波動＜5%

2. 封裝結(jié)構(gòu)：無分層、開裂、腐蝕現(xiàn)象，密封性達標(biāo)

3. 材料性能：封裝材料無老化、變形，焊點無裂紋、脫落

   測試一次性通過 AEC?Q100 認(rèn)證，封裝缺陷率降至 0.05% 以下，遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

四、案例價值